×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
ѷ Ť͹Ԥ ӡѴ
Categories
Product categories not found.
 
ES-P/N
1998-0126-4

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 47.8V - 53.1V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 43V,
AEC-Q101 Qualified
Qty.Break
THB
1
>
6.45
10
>
4.90
50
>
4.49
100
>
4.28
500
>
3.97
1,000
>
3.79
3,000
>
3.52
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0132-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/68A,
278W, RDS(on) 53mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
223.20
5
>
205.20
10
>
197.50
30
>
181.50
60
>
175.10
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0140-8

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/4A
Qty.Break
THB
1
>
32.75
5
>
29.15
10
>
27.84
50
>
25.71
100
>
24.73
500
>
22.36
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0123-8

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 144V - 160V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 130V
Qty.Break
THB
5
>
2.55
10
>
2.36
50
>
2.16
100
>
2.05
500
>
1.89
1,000
>
1.82
3,000
>
1.69
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0124-1

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 189V - 210V
(Min-Max), Unidirectional, Stand-Off Voltage 170V
Qty.Break
THB
5
>
2.55
10
>
2.36
50
>
2.16
100
>
2.05
500
>
1.89
1,000
>
1.82
3,000
>
1.69
Stock on hand    
2,990

ES-P/N
1998-0133-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/67A,
357W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
533.80
3
>
514.20
5
>
494.50
10
>
468.30
30
>
442.10
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0135-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/60A,
395W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
322.90
3
>
303.90
5
>
298.20
10
>
283.00
30
>
263.10
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0129-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/105A,
357W, RDS(on) 30mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
516.00
3
>
497.00
5
>
478.00
10
>
452.70
30
>
429.00
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0131-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,
517W, RDS(on) 27.4mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
829.70
3
>
783.00
5
>
762.30
10
>
726.00
30
>
692.30
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0139-3

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/70A,
455W, RDS(on) 60mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
362.40
3
>
349.30
5
>
336.20
10
>
320.90
30
>
300.20
Stock on hand    
0