×

เราใช้คุ��ี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้า�ละบริ�ารที่ตรง�ับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจ�ละประสบ�ารณ์�ารใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึ�ษารายละเอียด �ารใช้คุ��ี้ได้ที่

ประ�าศ�ารใช้คุ��ี้
Product Category | Electronics Source
Categories
Product categories not found.
 
ES-P/N
1998-0136-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/36A,
175W, RDS(on) 80mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
190.80
3
>
178.80
5
>
175.50
10
>
168.90
30
>
156.80
Stock on hand    
455

ES-P/N
1998-0138-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/67A,
357W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
513.60
3
>
494.70
5
>
475.80
10
>
450.60
30
>
426.90
Stock on hand    
30

DIOTEC
ES-P/N
1998-0142-2

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/8A
Qty.Break
THB
1
>
33.08
5
>
29.44
10
>
28.12
50
>
25.97
100
>
24.98
500
>
22.58
Stock on hand    
38

ES-P/N
1998-0127-6

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 16.7V - 18.5V
(Min-Max), Unidirectional, Stand-Off Voltage 15V
Qty.Break
THB
5
>
2.26
10
>
2.09
50
>
1.92
100
>
1.82
500
>
1.67
1,000
>
1.61
3,000
>
1.50
Stock on hand    
8,305

ES-P/N
1998-0130-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/120A,
580W, RDS(on) 22.3mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
705.60
3
>
666.60
5
>
636.30
10
>
612.50
30
>
580.00
Stock on hand    
30

DIOTEC
ES-P/N
1998-0143-4

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/10A
Qty.Break
THB
1
>
42.85
5
>
37.28
10
>
35.57
50
>
33.00
100
>
31.50
500
>
28.93
Stock on hand    
46

ES-P/N
1998-0123-8

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 144V - 160V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 130V
Qty.Break
THB
5
>
2.47
10
>
2.29
50
>
2.09
100
>
1.99
500
>
1.83
1,000
>
1.76
3,000
>
1.64
Stock on hand    
2,890

ES-P/N
1998-0124-1

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 189V - 210V
(Min-Max), Unidirectional, Stand-Off Voltage 170V
Qty.Break
THB
5
>
2.59
10
>
2.39
50
>
2.19
100
>
2.08
500
>
1.91
1,000
>
1.84
3,000
>
1.71
Stock on hand    
2,850

ES-P/N
1998-0134-3

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,
550W, RDS(on) 15mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
813.10
3
>
767.30
5
>
747.00
10
>
711.40
30
>
678.40
Stock on hand    
24

ES-P/N
1998-0128-8

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,
550W, RDS(on) 20mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
811.40
3
>
751.70
5
>
731.80
10
>
696.90
30
>
664.50
Stock on hand    
25