×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
My accountMy account
0
CartCart
My wishlistMy wishlist
Product Detail
Home > Semiconductors - Discrete > FETs & MOSFETs
Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/120A,Product P/N: DIF120SIC022
580W, RDS(on) 22.3mΩ Max, Kelvin Source forES P/N: 1998-0130-5
Fast Switching and Reduced Noise Level at GateManufacturer: DIOTEC See more products
กำหนดสินค้าจะเข้าในครั้งถัดไป
QtyEstimate Arrival DateConfirm Arrival Date 
3014/11/25Wait 
Documentation
Datasheet
Product Brochure-
Application Note-
จำนวนที่มีในสต็อก0
(Real time stock)
มีสินค้าที่คลังสินค้าราชพฤกษ์
(จัดส่งได้ทันที)		0
มีสินค้าที่สาขาบ้านหม้อ
(ใช้เวลาจัดส่งเพิ่มอีก 2 วันทำการ)		0
QuantityUnit Price THB
1 - 2716.30
3 - 4663.50
5 - 9645.90
10 - 29621.80
30 up588.80
ราคายังไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม 7%
ราคาต่อหน่วย: Pc.
จำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อ: 1
 
Product Information
Product CategorySemiconductors - Discrete
FamilyFETs & MOSFETs
Product Part No.DIF120SIC022
ES Part No.1998-0130-5
ManufacturerDIOTEC
Package/CaseTO-247-4L
Mfr PackageTO-247-4L
PackagingTUBE
Qty/Packaging30 (Pc.) / TUBE
Mfr_Std_pack
ES_Std_pack
UnitPc.
Weight (Gram)6.00
Warranty (year)-
PB-FreePB-Free
RoHSRoHS
Product Specification
FET TypeN-Channel
Continuous Drain Current (Id@25(C))120A
RDS(on) (Max) @ Id,Vgs22.3mΩ @75A,18V
Drain - Source Voltage1200V
Series-
VGS(th) @Id2 - 4V @23.5mA
Case StyleTO-247,264,3P
Mounting TypeThrough Hole