บริษัท อีเลคทรอนิคส์ ซอร์ซ จำกัด

×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

Sign in | Register

Product Category | Electronics Source

Home > Product > Semiconductors - Discrete > FETs & MOSFETs

Categories

FETs & MOSFETs

❙❮❮❮prev12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... next❯❯❯❙

show item in stock

All Items (294)New Products (0)Recommend (0)Hot Deal (0)Promotion (0)Clearance Sale (0)

VISHAY

ES-P/N

0135-0902-9

Power MOSFET P-Channel 11A/200V,

Maximum Power Dissipation 125W Max.

RDS(on) 0.50Ω Max

Qty.Break

THB

1

>

32.43

5

>

28.86

10

>

27.56

50

>

25.46

100

>

24.48

250

>

22.94

Stock on hand

0

UTC

ES-P/N

0282-0157-7

Power MOSFET P-Channel 20V/780mA,

Maximum Power Dissipation 540mW

RDS(on) 0.6Ω Max.

Qty.Break

THB

5

>

2.59

50

>

2.19

100

>

2.08

500

>

1.92

1,000

>

1.84

3,000

>

1.71

Stock on hand

0

DIOTEC

ES-P/N

1998-0201-2

Power MOSFET P-Channel 30V/2A

and N-Channel 30V/2.5A, 0.96W

RDS(on) Nch:73mΩ,Pch:95mΩ Typ.

Qty.Break

THB

1

>

2.41

50

>

1.83

100

>

1.72

500

>

1.57

Stock on hand

20

VISHAY

ES-P/N

1664-0170-8

Power MOSFET N-Channel 4.5A/500V,74W

RDS(on) 1.5Ω Max

Qty.Break

THB

1

>

17.21

5

>

15.14

10

>

14.19

25

>

13.55

50

>

12.99

100

>

12.51

500

>

11.28

Stock on hand

975

DIOTEC

ES-P/N

1998-0184-8

MOSFET N-Channel 60V/3A, AEC-Q101 Qualified,

Maximum Power Dissipation 1.25W,

RDS(on) 80mΩ Max

Qty.Break

THB

1

>

5.17

10

>

4.14

25

>

3.79

50

>

3.60

100

>

3.43

500

>

3.19

Stock on hand

0

DIOTEC

ES-P/N

1998-0128-8

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,

550W, RDS(on) 20mΩ Max, Kelvin Source for

Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate

Qty.Break

THB

1

>

811.40

3

>

751.70

5

>

731.80

10

>

696.90

30

>

664.50

Stock on hand

25

DIOTEC

ES-P/N

1998-0129-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/105A,

357W, RDS(on) 30mΩ Max, Kelvin Source for

Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate

Qty.Break

THB

1

>

500.60

3

>

482.20

5

>

463.80

10

>

445.30

30

>

416.20

Stock on hand

12

DIOTEC

ES-P/N

1998-0130-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/120A,

580W, RDS(on) 22.3mΩ Max, Kelvin Source for

Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate

Qty.Break

THB

1

>

705.60

3

>

666.60

5

>

636.30

10

>

612.50

30

>

580.00

Stock on hand

30

DIOTEC

ES-P/N

1998-0131-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,

517W, RDS(on) 27.4mΩ Max

Qty.Break

THB

1

>

805.00

3

>

759.70

5

>

739.50

10

>

704.30

30

>

671.60

Stock on hand

30

DIOTEC

ES-P/N

1998-0132-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/68A,

278W, RDS(on) 53mΩ Max, Kelvin Source for

Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate

Qty.Break

THB

1

>

219.80

5

>

202.20

10

>

194.60

30

>

178.80

60

>

172.50

Stock on hand

119

Page 1 of 30

❙❮❮❮prev12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... next❯❯❯❙