×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
ѷ Ť͹Ԥ ӡѴ
Categories
Product categories not found.
 
ES-P/N
1998-0128-8

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,
550W, RDS(on) 20mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
811.40
3
>
751.70
5
>
731.80
10
>
696.90
30
>
664.50
Stock on hand    
25

ES-P/N
1998-0129-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/105A,
357W, RDS(on) 30mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
500.60
3
>
482.20
5
>
463.80
10
>
445.30
30
>
416.20
Stock on hand    
12

ES-P/N
1998-0131-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,
517W, RDS(on) 27.4mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
805.00
3
>
759.70
5
>
739.50
10
>
704.30
30
>
671.60
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0139-3

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/70A,
455W, RDS(on) 60mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
351.60
3
>
338.90
5
>
326.20
10
>
311.40
30
>
291.20
Stock on hand    
29

ES-P/N
1998-0126-4

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 47.8V - 53.1V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 43V,
AEC-Q101 Qualified
Qty.Break
THB
1
>
6.45
10
>
4.90
50
>
4.49
100
>
4.28
500
>
3.97
1,000
>
3.79
3,000
>
3.52
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0132-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/68A,
278W, RDS(on) 53mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
219.80
5
>
202.20
10
>
194.60
30
>
178.80
60
>
172.50
Stock on hand    
6

ES-P/N
1998-0140-8

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/4A
Qty.Break
THB
1
>
32.75
5
>
29.15
10
>
27.84
50
>
25.71
100
>
24.73
500
>
22.36
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0127-6

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 16.7V - 18.5V
(Min-Max), Unidirectional, Stand-Off Voltage 15V
Qty.Break
THB
5
>
2.19
10
>
2.03
50
>
1.86
100
>
1.77
500
>
1.63
1,000
>
1.56
3,000
>
1.47
Stock on hand    
7,500

ES-P/N
1998-0130-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/120A,
580W, RDS(on) 22.3mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
705.60
3
>
666.60
5
>
636.30
10
>
612.50
30
>
580.00
Stock on hand    
30

DIOTEC
ES-P/N
1998-0143-4

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/10A
Qty.Break
THB
1
>
42.85
5
>
37.28
10
>
35.57
50
>
33.00
100
>
31.50
500
>
28.93
Stock on hand    
47