×

เราใช้คุ��ี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้า�ละบริ�ารที่ตรง�ับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจ�ละประสบ�ารณ์�ารใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึ�ษารายละเอียด �ารใช้คุ��ี้ได้ที่

ประ�าศ�ารใช้คุ��ี้
Product Category | Electronics Source
Categories
Product categories not found.
 
ES-P/N
1998-0125-2

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 44.4V - 49.3V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 64.5V
Qty.Break
THB
5
>
2.59
10
>
2.39
50
>
2.19
100
>
2.08
500
>
1.91
1,000
>
1.84
3,000
>
1.71
Stock on hand    
2,988

ES-P/N
1998-0137-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,
517W, RDS(on) 27.4mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
805.00
3
>
759.70
5
>
739.50
10
>
704.30
30
>
671.60
Stock on hand    
27

ES-P/N
1998-0141-1

Silicon Carbide Schottky Diode 650V/6A
Qty.Break
THB
1
>
49.14
5
>
42.75
10
>
40.79
50
>
37.84
100
>
36.12
500
>
33.05
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0129-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/105A,
357W, RDS(on) 30mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
500.60
3
>
482.20
5
>
463.80
10
>
445.30
30
>
416.20
Stock on hand    
11

ES-P/N
1998-0131-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,
517W, RDS(on) 27.4mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
805.00
3
>
759.70
5
>
739.50
10
>
704.30
30
>
671.60
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0139-3

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/70A,
455W, RDS(on) 60mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
351.60
3
>
338.90
5
>
326.20
10
>
311.40
30
>
291.20
Stock on hand    
26

ES-P/N
1998-0133-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/67A,
357W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
517.90
3
>
498.80
5
>
479.80
10
>
454.30
30
>
430.50
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0135-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/60A,
395W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
313.30
3
>
294.80
5
>
289.30
10
>
274.60
30
>
255.20
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0126-4

TVS Diode 600W, Breakdown Voltage 47.8V - 53.1V
(Min-Max), Bidirectional, Stand-Off Voltage 43V,
AEC-Q101 Qualified
Qty.Break
THB
1
>
6.55
10
>
4.97
50
>
4.56
100
>
4.35
500
>
3.95
1,000
>
3.80
3,000
>
3.57
Stock on hand    
2,995

ES-P/N
1998-0132-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/68A,
278W, RDS(on) 53mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
219.80
5
>
202.20
10
>
194.60
30
>
178.80
60
>
172.50
Stock on hand    
117