×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
Product Detail
Home > Semiconductors - Power Modules > Power Module
SiC Power Module,A Half Bridge Module consistingProduct P/N: BSM180D12P2E002
of SiC-DMOSFET and SiC-SBD,Drain Current(Id) 204 AES P/N: 0176-1493-7
Drain-Source Voltage(Vdss) 1200 V,Built-in 5KΩManufacturer: ROHM See more products
กำหนดสินค้าจะเข้าในครั้งถัดไป
QtyEstimate Arrival DateConfirm Arrival Date 
No
Documentation
Datasheet
Product Brochure-
Application NoteBSMGD2G12D24-AN.PDF (4MB)
จำนวนที่มีในสต็อก2
(Real time stock)
มีสินค้าที่คลังสินค้าราชพฤกษ์
(จัดส่งได้ทันที)
0
มีสินค้าที่สาขาบ้านหม้อ
(ใช้เวลาจัดส่งเพิ่มอีก 2 วันทำการ)
2
QuantityUnit Price THB
1 - 19,327.00
2 - 29,090.00
3 up8,954.00
ราคายังไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม 7%
ราคาต่อหน่วย: Pc.
จำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อ: 1
 
Product Information
Product CategorySemiconductors - Power Modules
FamilyPower Module
Product Part No.BSM180D12P2E002
ES Part No.0176-1493-7
ManufacturerROHM
Package/CaseModule
Mfr Package-
PackagingTRAY
Qty/Packaging0 (Pc.) / TRAY
Mfr_Std_pack
ES_Std_pack
UnitPc.
Weight (Gram)200.00
Warranty (year)
PB-FreePB-Free
RoHSRoHS
Product Specification
TypeSiC MOSFET Module
Current Rating204A
Voltage Rating1200V
Mounting TypeScrew Mount/Through Hole
Case StylePower Module