×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
ѷ Ť͹Ԥ ӡѴ
Categories
Search for:
DIOTEC product
Manufacturer home page
www.diotec.com
FETs & MOSFETs
 
ES-P/N
1998-0184-8

MOSFET N-Channel 60V/3A, AEC-Q101 Qualified,
Maximum Power Dissipation 1.25W,
RDS(on) 80mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
5.17
10
>
4.14
25
>
3.79
50
>
3.60
100
>
3.43
500
>
3.19
Stock on hand    
0

ES-P/N
1998-0128-8

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,
550W, RDS(on) 20mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
811.40
3
>
751.70
5
>
731.80
10
>
696.90
30
>
664.50
Stock on hand    
25

ES-P/N
1998-0129-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/105A,
357W, RDS(on) 30mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
500.60
3
>
482.20
5
>
463.80
10
>
445.30
30
>
416.20
Stock on hand    
12

ES-P/N
1998-0130-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/120A,
580W, RDS(on) 22.3mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
705.60
3
>
666.60
5
>
636.30
10
>
612.50
30
>
580.00
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0131-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/100A,
517W, RDS(on) 27.4mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
805.00
3
>
759.70
5
>
739.50
10
>
704.30
30
>
671.60
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0132-9

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1200V/68A,
278W, RDS(on) 53mΩ Max, Kelvin Source for
Fast Switching and Reduced Noise Level at Gate
Qty.Break
THB
1
>
219.80
5
>
202.20
10
>
194.60
30
>
178.80
60
>
172.50
Stock on hand    
6

ES-P/N
1998-0133-1

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 1700V/67A,
357W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
517.90
3
>
498.80
5
>
479.80
10
>
454.30
30
>
430.50
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0134-3

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/150A,
550W, RDS(on) 15mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
813.10
3
>
767.30
5
>
747.00
10
>
711.40
30
>
678.40
Stock on hand    
25

ES-P/N
1998-0135-5

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/60A,
395W, RDS(on) 49mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
313.30
3
>
294.80
5
>
289.30
10
>
274.60
30
>
255.20
Stock on hand    
30

ES-P/N
1998-0136-7

Silicon Carbide MOSFET N-Channel 650V/36A,
175W, RDS(on) 80mΩ Max
Qty.Break
THB
1
>
182.40
3
>
170.90
5
>
167.70
10
>
161.40
30
>
149.90
Stock on hand    
30