×

เราใช้คุกกี้ [cookie] เพื่อให้สามารถนำเสนอเนื้อหา สินค้าและบริการที่ตรงกับความสนใจของคุณ เพื่อเพิ่มความพึงพอใจและประสบการณ์การใช้งานเว็บไซต์ที่ดียิ่งขึ้น คุณสามารถศึกษารายละเอียด การใช้คุกกี้ได้ที่

ประกาศการใช้คุกกี้
My accountMy account
0
CartCart
My wishlistMy wishlist
Product Detail
Home > Semiconductors - Discrete > FETs & MOSFETs
MOSFET N-Channel 100V/160A,Product P/N: HYG042N10NS1B
Maximum Power Dissipation 200W,ES P/N: 1992-0001-8
RDS(on) 4.2mΩ MaxManufacturer: HUAYI See more products
กำหนดสินค้าจะเข้าในครั้งถัดไป
QtyEstimate Arrival DateConfirm Arrival Date 
No
Documentation
Datasheet
Product Brochure-
Application Note-
จำนวนที่มีในสต็อก0
(Real time stock)
มีสินค้าที่คลังสินค้าราชพฤกษ์
(จัดส่งได้ทันที)		0
มีสินค้าที่สาขาบ้านหม้อ
(ใช้เวลาจัดส่งเพิ่มอีก 2 วันทำการ)		0
QuantityUnit Price THB
1 - 438.52
5 - 934.28
10 - 2432.74
25 - 4931.39
50 up30.24
ราคายังไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม 7%
ราคาต่อหน่วย: Pc.
จำนวนขั้นต่ำในการสั่งซื้อ: 1
 
Product Information
Product CategorySemiconductors - Discrete
FamilyFETs & MOSFETs
Product Part No.HYG042N10NS1B
ES Part No.1992-0001-8
ManufacturerHUAYI
Package/CaseD2PAK-2 (TO-263)
Mfr PackageTO-263-2L
PackagingTAPE & REEL
Qty/Packaging800 (Pc.) / TAPE & REEL
Mfr_Std_pack
ES_Std_pack
UnitPc.
Weight (Gram)1.80
Warranty (year)-
PB-FreePB-Free
RoHSRoHS
Product Specification
FET TypeN-channel
Continuous Drain Current (Id@25(C))160A
RDS(on) (Max) @ Id,Vgs4.2mΩ @50A,10V
Drain - Source Voltage100V
Series-
VGS(th) @Id2 - 4V @250uA
Case StyleDPAK(TO-252),D2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount